创见推出pSLC缓存的USD230I系列microSD存储卡:保底写入速度30MB/s

SD存储协会在2017年初就已经引入Pseudo-SLC缓存机制。由于创见USD230I使用3D TLC闪存,因此pSLC缓存机制能够有效提升其性能表现。

老牌存储厂商创见(Teanscend)推出USD230I系列microSD存储卡,通过SLC缓存模拟方案,让该存储卡的写入性能得到大幅提升。官方给出的最高数据传输速率为100MB/s,随机读写高达3.4k IOPS,较市面上的普通模式竞品有明显的性能优势。

容量方面,创见USD230I系列提供8GB/16GB/32GB/64GB4种容量选择。MicroSD卡片符合A1和V30认证、保底写入速度30MB/s,足以支撑4K视频录制和安装谷歌Android应用程序。

遗憾的是,厂商并未透露确切的pSLC缓存的大小。耐用性方面,8GB版本为36 TBW、16/32GB版本为70TBW、64GB版本则是140TBW 。

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